液態(tài)金屬散熱膏:散熱液態(tài)金屬產(chǎn)業(yè)發(fā)展大趨勢
- 分類(lèi):公司新聞
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- 發(fā)布時(shí)間:2023-04-21 15:52
【概要描述】目前已經(jīng)報道的低熔點(diǎn)金屬相變材料的熱導率多處在10~40 W/(m·K)量級,比傳統的有機或無(wú)機相變材料高出了2個(gè)數量級,因此其相變熱控能力也遠優(yōu)于傳統材料,可以更加高效地保障電子器件溫度始終處在允許的范圍內,保證其工作效率、穩定性和壽命。
液態(tài)金屬散熱膏:散熱液態(tài)金屬產(chǎn)業(yè)發(fā)展大趨勢
【概要描述】目前已經(jīng)報道的低熔點(diǎn)金屬相變材料的熱導率多處在10~40 W/(m·K)量級,比傳統的有機或無(wú)機相變材料高出了2個(gè)數量級,因此其相變熱控能力也遠優(yōu)于傳統材料,可以更加高效地保障電子器件溫度始終處在允許的范圍內,保證其工作效率、穩定性和壽命。
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2004年,國際電子制造計劃相關(guān)技術(shù)路線(xiàn)圖提出預測,到2020年左右,高性能芯片的運行功率或可達到360 W,相應地,其發(fā)熱熱流密度將高達190 W/cm2,這已經(jīng)接近于核反應堆一回路的熱流密度。事實(shí)表明,高端芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展已經(jīng)超出技術(shù)路線(xiàn)圖的預測,部分高性能芯片工作時(shí)的發(fā)熱熱流密度已達到300 W/cm2。2012年和2016年,《自然》雜志兩篇文章相繼指出,芯片“熱障”難題已成為阻礙其進(jìn)一步發(fā)展的關(guān)鍵挑戰,急需開(kāi)發(fā)相應的高性能冷卻技術(shù)。今天擅長(cháng)分析液態(tài)金屬散熱的科威液態(tài)金屬谷就為大家分享關(guān)于“液態(tài)金屬散熱膏:散熱液態(tài)金屬產(chǎn)業(yè)發(fā)展大趨勢”
室溫液態(tài)金屬超級散熱技術(shù)將打破高端器件面臨的“熱障”問(wèn)題。中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所副研究員何志祝說(shuō),液態(tài)金屬芯片熱控技術(shù)熱導率是水的60-70倍,液態(tài)溫區橫跨零下10℃-零上2000℃。這項技術(shù)將為航空航天、軍工國防、工業(yè)制造等領(lǐng)域帶來(lái)重大前景。
冷卻技術(shù)隨著(zhù)冷卻需求的提升而不斷發(fā)展。傳統的空氣自然對流冷卻和空氣強制對流冷卻散熱能力較差,僅適用于熱流密度10 W/cm2以下的情形 ;熱管冷卻是目前筆記本電腦散熱的主流技術(shù),一般可以應對熱流密度在10~100 W/m2范圍內冷卻需求 ;對于更高熱流密度的芯片冷卻,目前研究的熱點(diǎn)是液冷技術(shù),特別是以水為工質(zhì)的液冷技術(shù)。盡管水冷技術(shù)的冷卻能力已經(jīng)較傳統技術(shù)有很大的提升,但由于水的熱導率較低(室溫下為0.6 W/(m·K)),限制了其對流換熱能力,因此研究者們提出了一系列強化傳熱措施,包括納米流體、微小通道等等。微小流道水冷技術(shù)可以應對比如100~1 000 W/m2量級的極端冷卻需求,但是由于其存在流動(dòng)阻力大、流道容易堵塞等問(wèn)題,目前還難以應用。因此,研究者們一直致力于尋找更加高效的冷卻工質(zhì)和冷卻方法。室溫液態(tài)金屬冷卻技術(shù)正是在這樣的背景下孕育而出,其固有的高熱導率賦予了其優(yōu)異的傳熱能力,因此一經(jīng)提出就備受?chē)鴥韧鈱W(xué)者和產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注。經(jīng)過(guò)十幾年的發(fā)展,液態(tài)金屬冷卻技術(shù)不斷完善和延伸,形成了其特有的技術(shù)體系,并且還在持續的快速發(fā)展當中。
銀白色的外觀(guān),金屬的本質(zhì),卻可以像液體一樣流動(dòng),還擁有沸點(diǎn)高、導電性強、導熱率高等特質(zhì),這就是神奇的液態(tài)金屬。在云南省曲靖市舉行的中國第二屆液態(tài)金屬產(chǎn)業(yè)技術(shù)高峰論壇上,100余項液態(tài)金屬前沿技術(shù)及產(chǎn)品集中亮相,80%的技術(shù)產(chǎn)品首次面世。
2012年,中科院理化所劉靜研究員團隊提出了低熔點(diǎn)金屬類(lèi)新型相變材料體系,用于芯片熱沖擊防護和中低溫區間的熱能儲存,其中,芯片或電子器件的熱控應用主要包括智能手機和高密度移動(dòng)硬盤(pán)等間斷性使用的設備。目前已經(jīng)報道的低熔點(diǎn)金屬相變材料的熱導率多處在10~40 W/(m·K)量級,比傳統的有機或無(wú)機相變材料高出了2個(gè)數量級,因此其相變熱控能力也遠優(yōu)于傳統材料,可以更加高效地保障電子器件溫度始終處在允許的范圍內,保證其工作效率、穩定性和壽命。近幾年的實(shí)驗中以千瓦級超級芯片的冷卻問(wèn)題為例,來(lái)說(shuō)明液態(tài)金屬冷卻技術(shù)在打破傳統工質(zhì)冷卻極限,解決芯片“熱障”難題中發(fā)揮的決定性作用。也在不少案例中,將直接面向工作功率1000 W,發(fā)熱功率500 W(熱流密度500 W/cm2)的超級芯片展開(kāi)討論,并分別探討液態(tài)金屬微通道冷卻、液態(tài)技術(shù)熱界面材料以及液態(tài)金屬相變熱緩沖技術(shù)在其中起到的關(guān)鍵作用。
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